电子级八氟丙烷（C₃F₈），又称全氟丙烷，是继您之前了解的八氟环丁烷（C₄F₈）之后，另一种在半导体制造中应用广泛的关键含氟电子特气。

一、核心信息：
1、基本性质：无色、不可燃、化学性质不活泼且热稳定性良好的惰性气体。
2、核心用途：
作为等离子体刻蚀气体和清洗气体，在微电子工业中用于集成电路和液晶屏的制造。
3、关键纯度与参数：
纯度要求高，根据现行国家标准GB/T 31986-2015，其主要技术指标（体积分数）如下：
（1） 纯度：99.999% (5N) 或 99.99% (4N)
（2）关键杂质：O₂+Ar ≤ 1 ppm, N₂ ≤ 5 ppm
（该标准已于2024年底启动修订，预计纯度等技术要求将进一步提高以适应先进制程）
4、主要应用领域：
半导体/集成电路制造（主要）、显示面板制造等。
5、市场与供应：
国内行业正随集成电路技术进步而发展，标准也在同步更新。

二、核心应用解析
在等离子体工艺中，C₃F₈的主要功能与其结构密切相关：
1、等离子体刻蚀：
在等离子态下，C₃F₈分解产生活性氟自由基，用于对硅、二氧化硅、氮化硅等材料进行各向异性刻蚀，定义电路图形。其“高度的选择性”使其能更好地与特定材料（如硅片中的金属基质）发生作用。
2、器件表面清洗：
尤其当与氧气混合时，C₃F₈能有效去除半导体制造设备（如CVD反应腔）内壁及晶圆表面的硅质残留物和污染物，提高产品可靠性。
简单来说，C₃F₈的优势在于“选择性”，它能更精确地针对目标材料进行刻蚀；而C₄F₈的优势在于“精细度”，它能更好地保护刻蚀图形的侧壁，在更先进的工艺中实现更陡直、更高深宽比的图形。

三、行业趋势
与许多电子特气一样，八氟丙烷行业正面临更新换代：
1、标准升级：
现行国家标准GB/T 31986-2015发布已近9年，为了满足大规模集成电路技术进步对气体纯度和质量的更高要求，新版标准已于2024年底立项修订。
2、制备技术：
工业化制备方法多样，包括直接氟化、六氟丙烯氟化加成等，其纯化工艺（如精馏、吸附）是获得高纯产品的关键。

四、总结
总的来说，电子级八氟丙烷是半导体制造中用于选择性刻蚀和有效清洗的主力气体之一。尽管在极端先进制程中可能被C₄F₈等气体部分替代，但其凭借高选择性和良好的工艺成熟度，在广泛的半导体和显示面板制造中仍不可或缺。

一、核心信息：
1、基本性质：无色、不可燃、化学性质不活泼且热稳定性良好的惰性气体。
2、核心用途：
作为等离子体刻蚀气体和清洗气体，在微电子工业中用于集成电路和液晶屏的制造。
3、关键纯度与参数：
纯度要求高，根据现行国家标准GB/T 31986-2015，其主要技术指标（体积分数）如下：
（1） 纯度：99.999% (5N) 或 99.99% (4N)
（2）关键杂质：O₂+Ar ≤ 1 ppm, N₂ ≤ 5 ppm
（该标准已于2024年底启动修订，预计纯度等技术要求将进一步提高以适应先进制程）
4、主要应用领域：
半导体/集成电路制造（主要）、显示面板制造等。
5、市场与供应：
国内行业正随集成电路技术进步而发展，标准也在同步更新。

二、核心应用解析
在等离子体工艺中，C₃F₈的主要功能与其结构密切相关：
1、等离子体刻蚀：
在等离子态下，C₃F₈分解产生活性氟自由基，用于对硅、二氧化硅、氮化硅等材料进行各向异性刻蚀，定义电路图形。其“高度的选择性”使其能更好地与特定材料（如硅片中的金属基质）发生作用。
2、器件表面清洗：
尤其当与氧气混合时，C₃F₈能有效去除半导体制造设备（如CVD反应腔）内壁及晶圆表面的硅质残留物和污染物，提高产品可靠性。
简单来说，C₃F₈的优势在于“选择性”，它能更精确地针对目标材料进行刻蚀；而C₄F₈的优势在于“精细度”，它能更好地保护刻蚀图形的侧壁，在更先进的工艺中实现更陡直、更高深宽比的图形。

一、核心信息：
1、基本性质：无色、不可燃、化学性质不活泼且热稳定性良好的惰性气体。
2、核心用途：
作为等离子体刻蚀气体和清洗气体，在微电子工业中用于集成电路和液晶屏的制造。
3、关键纯度与参数：
纯度要求高，根据现行国家标准GB/T 31986-2015，其主要技术指标（体积分数）如下：
（1） 纯度：99.999% (5N) 或 99.99% (4N)
（2）关键杂质：O₂+Ar ≤ 1 ppm, N₂ ≤ 5 ppm
（该标准已于2024年底启动修订，预计纯度等技术要求将进一步提高以适应先进制程）
4、主要应用领域：
半导体/集成电路制造（主要）、显示面板制造等。
5、市场与供应：
国内行业正随集成电路技术进步而发展，标准也在同步更新。

二、核心应用解析
在等离子体工艺中，C₃F₈的主要功能与其结构密切相关：
1、等离子体刻蚀：
在等离子态下，C₃F₈分解产生活性氟自由基，用于对硅、二氧化硅、氮化硅等材料进行各向异性刻蚀，定义电路图形。其“高度的选择性”使其能更好地与特定材料（如硅片中的金属基质）发生作用。
2、器件表面清洗：
尤其当与氧气混合时，C₃F₈能有效去除半导体制造设备（如CVD反应腔）内壁及晶圆表面的硅质残留物和污染物，提高产品可靠性。
简单来说，C₃F₈的优势在于“选择性”，它能更精确地针对目标材料进行刻蚀；而C₄F₈的优势在于“精细度”，它能更好地保护刻蚀图形的侧壁，在更先进的工艺中实现更陡直、更高深宽比的图形。