电子级八氟环丁烷（C₄F₈），又称全氟环丁烷，是一种在半导体先进制程中主要用于等离子体刻蚀和反应腔清洗的高性能含氟电子气体。C₄F₈凭借其特殊的环状结构，在需要极高刻蚀精度的先进芯片制程中（如制造晶体管间的接触孔）具有不可替代的优势，能更好地保护刻蚀图形的侧壁，形成陡直的轮廓。

一、核心信息：
1、基本性质：
无色、无味、不可燃、化学性质稳定的惰性气体，无臭氧层破坏作用。
2、核心用途：
（1）等离子体干法刻蚀（90nm以下先进工艺）。
（2）化学气相沉积（CVD）设备清洗。
3、关键纯度与参数：
纯度≥99.999% (5N)，此为通用标准。最新国家标准GB/T 43977-2024-2-8已实施，对杂质控制要求极严。
4、主要应用领域：
半导体/集成电路、显示面板、光纤。
5、市场与供应：
国内企业已实现技术突破并参与国家标准制定，正在推进国产替代。

二、关键参数与产品标准：
电子级八氟环丁烷（C₄F₈）其核心在于超高纯度和对痕量杂质的严格控制。除纯度要求外，还须精确控制多种杂质含量，下表是参考标准：
杂质项目的控制指标 (Vol.ppm)： 氮气 (N₂) ≤ 3 Vol.ppm、 氧气 (O₂) ≤ 1 Vol.ppm、 一氧化碳 (CO) ≤ 0.5 Vol.ppm、 水 (H₂O) ≤ 1 Vol.ppm、酸度 ≤ 0.1 (wt.ppm)；
2024年11月1日实施的《GB/T 43977-2024 电子气体 八氟环丁烷》 是国家统一标准，为该产品的生产与质量控制提供了权威依据。

三、核心应用解析：
1、等离子体刻蚀：
在等离子体中分解产生活性氟自由基，用于硅、二氧化硅、氮化硅等材料的各向异性刻蚀。它在90纳米及以下的先进工艺中是关键气体之一，能实现纳米级的精细图形加工。
2、反应腔清洗：
利用其在等离子态下产生的氟原子，有效去除化学气相沉积（CVD）等设备反应腔内壁堆积的硅基薄膜残留物，是维持设备稳定运行的必要步骤。

四、行业趋势与国产化：
八氟环丁烷行业正受益于半导体产业的自主化发展。在政策驱动下，国内多家企业已打破国外垄断，实现规模化生产，并成为国家标准制定的主导力量。

五、总结：
总结来说，电子级八氟环丁烷是先进半导体制造中实现纳米级精细图形刻蚀和腔体维护的核心材料之一。其高纯度、稳定的刻蚀性能直接关系到芯片的良率与性能。

一、核心信息：
1、基本性质：
无色、无味、不可燃、化学性质稳定的惰性气体，无臭氧层破坏作用。
2、核心用途：
（1）等离子体干法刻蚀（90nm以下先进工艺）。
（2）化学气相沉积（CVD）设备清洗。
3、关键纯度与参数：
纯度≥99.999% (5N)，此为通用标准。最新国家标准GB/T 43977-2024-2-8已实施，对杂质控制要求极严。
4、主要应用领域：
半导体/集成电路、显示面板、光纤。
5、市场与供应：
国内企业已实现技术突破并参与国家标准制定，正在推进国产替代。

二、关键参数与产品标准：
电子级八氟环丁烷（C₄F₈）其核心在于超高纯度和对痕量杂质的严格控制。除纯度要求外，还须精确控制多种杂质含量，下表是参考标准：
杂质项目的控制指标 (Vol.ppm)： 氮气 (N₂) ≤ 3 Vol.ppm、 氧气 (O₂) ≤ 1 Vol.ppm、 一氧化碳 (CO) ≤ 0.5 Vol.ppm、 水 (H₂O) ≤ 1 Vol.ppm、酸度 ≤ 0.1 (wt.ppm)；
2024年11月1日实施的《GB/T 43977-2024 电子气体 八氟环丁烷》 是国家统一标准，为该产品的生产与质量控制提供了权威依据。

一、核心信息：
1、基本性质：
无色、无味、不可燃、化学性质稳定的惰性气体，无臭氧层破坏作用。
2、核心用途：
（1）等离子体干法刻蚀（90nm以下先进工艺）。
（2）化学气相沉积（CVD）设备清洗。
3、关键纯度与参数：
纯度≥99.999% (5N)，此为通用标准。最新国家标准GB/T 43977-2024-2-8已实施，对杂质控制要求极严。
4、主要应用领域：
半导体/集成电路、显示面板、光纤。
5、市场与供应：
国内企业已实现技术突破并参与国家标准制定，正在推进国产替代。

二、关键参数与产品标准：
电子级八氟环丁烷（C₄F₈）其核心在于超高纯度和对痕量杂质的严格控制。除纯度要求外，还须精确控制多种杂质含量，下表是参考标准：
杂质项目的控制指标 (Vol.ppm)： 氮气 (N₂) ≤ 3 Vol.ppm、 氧气 (O₂) ≤ 1 Vol.ppm、 一氧化碳 (CO) ≤ 0.5 Vol.ppm、 水 (H₂O) ≤ 1 Vol.ppm、酸度 ≤ 0.1 (wt.ppm)；
2024年11月1日实施的《GB/T 43977-2024 电子气体 八氟环丁烷》 是国家统一标准，为该产品的生产与质量控制提供了权威依据。