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电子混合气体
电子混合气体广泛应用于大规模集成电路（L.S.I)、超大规模集成电路（V.L.S.I)和半导体器件生产中，主要用于气相外延（生产）、化学气相淀积、掺杂（杂质扩散）、各类腐刻和离子注入等工艺中。
电子混合气体广泛应用于大规模集成电路（L.S.I)、超大规模集成电路（V.L.S.I)和半导体器件生产中，主要用于气相外延（生产）、化学气相淀积、掺杂（杂质扩散）、各类腐刻和离子注入等工艺中。
| 序号 | 电子混合气汇总 |
|---|---|
| 1 | 二氯硅烷（DCS)5000ppm +N2；二氯硅烷（DCS) 15ppm + N2 |
| 2 | 二氯硅烷（DCS)10ppm + 三氯硅烷(TCS)10ppm +氦 |
| 3 | HCI 50ppm + 二氯硅烷（DCS) 1000ppm +平衡He |
| 4 | 硅烷1%+二氯硅烷（DCS)1%+三氯硅烷（TCS)1%+四氯化硅1%+氮 |
| 5 | 硅烷50ppm+三氯硅烷（TCS)1000ppm+He |
| 6 | 三氯硅烷（TCS)15ppm+N2 |
| 7 | 乙硅烷（Si2H4） 100ppm ~ 200ppm + H2 |
| 8 | 乙硅烷 10ppm +He |
| 9 | CO2 5ppm + 硅烷 135ppm + 乙硅烷 1000ppm + He |
| 10 | SiH4 5ppm ~ 15% +Ar(H2/N2/He) |
| 11 | H2 5ppm + Ar 5ppm + N2 5ppm + CO 5ppm + CH4 5ppm+ CO2 5ppm + 硅烷 1000ppm 的平衡He |
| 12 | 乙硼烷 50~ 100ppm + H2 |
| 13 | 砷烷 100ppm ~ 0.7% + H2 |
| 14 | 锗烷 1% ~ 10% + H2 |
| 15 | 三氯化硼 1% ~ 5% + N2 （He) |
| 16 | PH3 0.8ppm ~ 500ppm + He(H2） |
| 17 | HCI 9ppm ~ 50% + N2 |
| 18 | NF3 99.99% 180g ~1500g |
| 19 | NF3 20ppm ~ 30ppm + Air |
| 20 | NF3 15ppm + N2 |
| 21 | CF4 80% + O2 |
| 22 | Ar 5ppm ~ 80% + Ne （H2/He/N2) |
| 23 | Kr 8% ~ 50% + Ar |
| 24 | Ne 80% ~ 97% + Ar |