名称：超纯氨 NH3
纯度：99.9995%~99.99997%
包装物尺寸：8L/12L/47L/470L/（另接受定制）
HS:2814100000
阀门型号：CGA-660 / DISS-720

电子气超纯氨是微电子氮化硅掩蔽膜的主要原材料，其反应为：750—850℃ ：SiH4+NH3---Si3N4+H2+N2 ，850—900℃ ：3SiCl4+4NH3---Si3N4+12HCl。虽然NH3在半导体制造用量不大，但在光电子领域、超纯氨是十分重要的原材料。

超纯氨是纯度≥99.9999%（6N）及以上的氨气，主要作为氮源，是高科技产业链的关键原料气体。
与之前提到的超纯氧气（助燃、氧化）和氦气（惰性冷却）不同，超纯氨的主要价值在于它能参与化学反应，为材料提供氮元素。

一、核心信息和应用领域：
1、核心物化性质

- 状态：无色、有毒、具强烈刺激性气味的气体。
- 反应性：易燃易爆，空气中爆炸极限为15%-27%，高温下可分解为氮气和氢气。
- 纯度要求：超高，关键杂质如水分、金属离子需控制在ppb（十亿分之一）甚至ppt（万亿分之一）级别。
2、关键应用领域

- 半导体照明（LED）：用于MOCVD技术生长氮化镓（GaN）发光层，其纯度直接影响LED的亮度与功耗。
- 集成电路与显示面板：在芯片制造中用于氮化硅介电层等工艺；也是TFT-LCD、AMOLED面板生产的关键氮源。
- 光伏电池：是制备TOPCon等高效晶硅电池钝化层（氮化硅）的核心原料。
- 泛半导体清洗：其水溶液（超纯氨水）用于芯片清洗，金属杂质需≤10ppt。

二、生产技术与国产化进展
1、主流生产工艺：主要以工业氨为原料，通过 “吸附+精馏” 组合技术进行纯化。为提升效率，国内企业已突破 “双塔精馏” 技术，大幅提升了产量。
2、显著的国产化突破：过去，高纯氨由国外企业垄断，价格高昂。经过十余年攻关，国内企业已实现了 7N（99.99999%） 超纯氨的产业化，市场占有率显著提升，成功将价格降低超过70%，有力支撑了下游产业发展。目前国内年产能正迈向万吨级。

三、安全与储运
1、由于其毒性、腐蚀性和燃爆风险，操作与储存要求极高：
2、强制通风与检漏：工作环境需强制通风，管道系统需严格进行氦检漏。
3、应急处理：皮肤接触需立即用清水冲洗，并用弱酸（如硼酸）湿敷；吸入后应立即转移至空气新鲜处并就医。
4、专业储运：需使用经过特殊处理的容器和管道，通常由专业气体公司提供一站式解决方案。

总而言之，超纯氨是战略性新兴产业中不可或缺的“材料粮食”，其纯度直接关系到最终电子器件的性能与寿命。目前，我国已在此领域实现了从依赖进口到自主可控的跨越。

超纯氨是微电子氮化硅掩蔽膜的主要原材料，其反应为：750—850℃ ：SiH4+NH3---Si3N4+H2+N2 ，850—900℃ ：3SiCl4+4NH3---Si3N4+12HCl。

一、核心信息和应用领域：
1、核心物化性质

- 状态：无色、有毒、具强烈刺激性气味的气体。
- 反应性：易燃易爆，空气中爆炸极限为15%-27%，高温下可分解为氮气和氢气。
- 纯度要求：超高，关键杂质如水分、金属离子需控制在ppb（十亿分之一）甚至ppt（万亿分之一）级别。
2、关键应用领域

- 半导体照明（LED）：用于MOCVD技术生长氮化镓（GaN）发光层，其纯度直接影响LED的亮度与功耗。
- 集成电路与显示面板：在芯片制造中用于氮化硅介电层等工艺；也是TFT-LCD、AMOLED面板生产的关键氮源。
- 光伏电池：是制备TOPCon等高效晶硅电池钝化层（氮化硅）的核心原料。
- 泛半导体清洗：其水溶液（超纯氨水）用于芯片清洗，金属杂质需≤10ppt。

二、生产技术与国产化进展
1、主流生产工艺：主要以工业氨为原料，通过 “吸附+精馏” 组合技术进行纯化。为提升效率，国内企业已突破 “双塔精馏” 技术，大幅提升了产量。
2、显著的国产化突破：过去，高纯氨由国外企业垄断，价格高昂。经过十余年攻关，国内企业已实现了 7N（99.99999%） 超纯氨的产业化，市场占有率显著提升，成功将价格降低超过70%，有力支撑了下游产业发展。目前国内年产能正迈向万吨级。