名称：氯化氢 HCL

纯度：99.995%~99.999%

CAS:7647-01-0

阀门型号：CGA-330 / DISS-634

氯化氢是一种无色，腐蚀性，有毒，不易燃的气体，具有令人窒息的气味。 它对粘膜非常刺激。 氯化氢比空气重，在潮湿的空气中有强烈的烟雾，对水有很大的亲和力。 电子级氯化氢（HCl）在半导体制造中的角色，主要是一个精密“清洁与表面处理专家”，用于清除表面杂质并进行精细加工。

一、核心信息概览：
1、基本性质：
无色、强刺激性、不燃气体，溶水后为强腐蚀性盐酸。熔点-114.2℃，沸点-85℃。
2、核心用途：
硅片表面精密处理：气相抛光、外延基座腐蚀。
3、关键参数：
纯度≥99.999%（5N级）。杂质（如H₂O、THC）需控制在极低水平（如H₂O < 5 ppm）。
4、应用领域：
半导体（主要）、显示面板、光伏等行业的刻蚀、抛光、清洗工序。

二、详细参数、应用与特点
1. 关键参数与纯度要求
电子级氯化氢的核心在于超高纯度和对特定关键杂质的严格控制。其纯度通常要求≥99.999%（5N），国内已有达到此标准的生产线。它遵循国家标准《GB/T 24469-2009 电子工业用气体.5N氯化氢》。对水份（H₂O）、总碳氢化合物（THC）及金属离子的含量都有极其苛刻的要求，是衡量其品质的关键。
2. 在半导体制造中的核心应用
它在半导体工艺中主要用于前期和反应腔室的精细处理：
（1）单晶硅片气相抛光：
在高温下，用HCl气体对硅片表面进行蚀刻，去除机械损伤层和杂质，获得洁净、平整的原子级表面。
（2）外延基座腐蚀：
在硅片外延生长前，使用HCl气体对放置硅片的基座（通常为石墨）进行高温原位清洗，去除表面沉积物，防止污染后续生长的外延层。
（3）工艺集成：
它还集成到刻蚀、抛光、清洗等更广泛的工序中，服务于集成电路、显示面板和光伏等行业。
3. 工艺特点
相比湿法化学清洗（如RCA标准清洗法），氯化氢气相处理具有无液体残留、选择性好、与后续高温工艺兼容性高等优点，更适用于先进制程。

三、安全与储存：
氯化氢具有强刺激性、腐蚀性和毒性，操作需严格防护。它通常存储在经抛光处理的高压专用钢瓶中，工作压力约为5-6 MPa。储存需在通风、干燥、远离明火的环境中，钢瓶需直立并固定。

电子级氯化氢是半导体制造中用于表面精密清洁与预处理的关键气体。其高纯度、无残留和良好的高温工艺兼容性，确保了芯片制造在初始阶段就拥有完美的基底材料，对提升最终器件性能至关重要。

电子级氯化氢（HCl）在半导体制造中的角色，主要是一个精密“清洁与表面处理专家”，用于清除表面杂质并进行精细加工。